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电子元器件详细资料 » IC[27667] » SI2351DS-T1-GE3
型号:SI2351DS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C115 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs5.1nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds250pF @ 10V
功率_最大2.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
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SI2351DS-T1-GE3相关型号

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